赛力斯自动化科技有限公司

 H0 系列包括一个硅或铟镓砷雪崩光电二极管，带有优化的低噪声混合前置放大器，可用于激光测距、激光雷达、分析应用。这些器件中使用的 Si-APD 有 SAR500、SAR1500 和用于 YAG 增强应用的 SAT800，在 400 nm 到 1100 nm 波长范围内具有响应性，在所有波长上都具有极快的上升和下降时间。对于 900 nm 到 1700 nm 的波长范围，我们使用了InGaAs-APD IAG080 和 IAG200。

• 系统带宽 DC- 100 MHz
• 高灵敏度
• 超低噪音
• 光谱响应范围
• SiAPD：400 nm至 1100 nm
• InGaAs-APD：900 nm至 1700 nm
• 密封 TO-46 封装
• +/- 5 伏放大器工作电压

所有接收器均可配备InGaAs-APD，因此可覆盖 400 - 1100 和 1000 - 1650 nm 的波长范围。

 InGaAs-APD 接收器（SAR500H0、SAR1500H0）

产地：德国

存储温度：-55 ℃ 至 +100 ℃

工作温度：-40 ℃ 至 +85 ℃

TIA 电源电压（V）：+/- 4（Min）； +/- 5 ；+/- 6.5 （Max）

TIA 电源电流：30 mA

功率消耗：300 mW

焊接温度（15 秒）：260 °C

噪声测量频率：100 kHz

操作方式：脉冲操作

有效区域直径：0.5 mm

波长范围：400-1000 nm

峰值灵敏度：905 nm

带宽：DC-20 MHz

响应度：

540 纳米 1.35 MV/W

650 纳米 2.00MV/W

905 纳米 2.50MV/W

NEP：

540 纳米 0.10  pW/rtHz

650 纳米 0.06 pW/rtHz

905 纳米 0.05 pW/rtHz

输出噪声密度：100 nV/rtHz

输入参考噪声密度：2 pA/rtHz

输出电压摆幅（1 MΩ）：3 V

输出电压摆幅 (50 o)：1.5 V

输出偏移电压：25 mV

光电测量、军事、汽车领域、激光测距、激光雷达、分析应用